高通Snapdragon 835處理器 10奈米FinFET製程確定

採訪報導
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作者:張里歐 總編輯
日期:2016/11/17
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傳訊
高通今日(11/17)宣布新一代旗艦處理器 Qualcomm Snapdragon 835 將由三星代工,並且採用 10 奈米 FinFET 製程工藝打造。高通方面指出,Qualcomm Snapdragon 820 / 821 目前已擁有超過 200 款設計發布或正在開發中,接續推出的 Snapdragon 835 已投入生產,包括智慧型手機在內搭載 Snapdragon 835 的終端裝置預計將於 2017 上半年正式出貨。

高通Snapdragon 835處理器 10奈米FinFET製程確定
▲雖然高通並未公布 Qualcomm Snapdragon 835 的規格細節,但預期將帶來更低的功耗與更高的性能,以及具備 Snapdragon X16 LTE、Quick Charge 4 快充等技術。(由左至右高通產品管理高級副總裁 Keith Kressin、三星執行副總裁及晶圓代工業務主管 Jong Shik Yoon)

今年 10 月,三星 10 奈米 FinFET 工藝正式量產,10nm FinFET 與上一代 14 奈米 FinFET 工藝相比,三星 10 納米工藝可實現減少高達 30% 的晶片尺寸,性能提升 27% 或功耗降低 40%。對於 OEM 廠商來說,意味著產品將擁有更多可用空間,同時能支持更大的電池或更輕薄的設計;此外,而製程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合,將帶來顯著電池續航力提升。

更新時間:2016/11/19-09:43

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