三星規劃2025年推出2奈米製程 2027年進入1.4奈米工藝

三星於美西時間 10/3 與 10/4 接連兩日，在美國聖荷西舉辦 2022 三星代工論壇（Foundry Forum）與安全論壇（SAFE Forum），會中三星電子總裁兼代工業務負責人 Si-young Choi 宣布，隨著 3nm 工藝技術開始量產、出貨，三星將在強化環繞式閘極電晶體（Gate-All-Around FET，GAA FET）架構基礎下，後續於 2025 年、2027 年陸續推出 2nm、1.4nm 工藝技術。

同時宣布，三星將加速開發 2.5D / 3D 異構集成封裝技術，提供代工服務的整體系統解決方案，預計 2024 年量產微凸塊互連的 3D 封裝 X-Cube，後續 2026 年量產無凸塊 X-Cube。另外，三星也持續在擴大旗下先進節點的產能，樂觀評估 2027 年產能將會比今年提升三倍以上。

▲三星電子總裁兼代工業務負責人 Si-young Choi 於 2022 三星代工論壇上進行主題演講。

三星亦看好 HPC、汽車、5G 和 IoT 物聯網等高性能和低功耗半導體市場，像是目前已對於 HPC 和行動設備，增強基於 GAA FET 的 3nm 工藝技術，並進一步豐富用於 HPC 和汽車應用的 4nm 工藝技術。

針對汽車客戶，三星也提供基於 28nm 技術的嵌入式非易失性存儲器（eNVM）解決方案，後續規劃 2024 年推出 14nm eNVM 解決方案，未來再增加 8nm eNVM 產品。另外，繼現有 8nm RF 技術持續運作之下後，也正在開發 5nm RF 技術。

▲三星於 2022 年 6 月底開始量產 3nm 工藝技術晶圓，並在 7 月底開始出貨。