搶先台積電！三星宣布3奈米製程晶片開始量產

三星電子昨日（6/30）宣布正式開始量產 3nm 製程工藝技術的晶片，比同樣也在研發 3nm 製程的台積電提早一步啟動量產事宜，後者預期會在 2022 下半年開始大量生產 N3 工藝技術產品。三星表示，初代 3nm 製程比起 5nm 產品，功耗降低 45%、性能提升 16%、節點面積減少 16%；第二代 3nm 製程進一步能降低 50% 功耗、擁有 30% 性能提升，並減少 35% 節點面積。

▲三星電子副總裁 Michael Jeong（左）、執行副總裁 Ja-Hum Ku（中），與三星代工事業部副總裁 Sang Bom Kang（右）等人，手捧 3nm 晶圓慶祝正式量產。

三星 3nm 製程工藝技術採用多橋通道場效電晶體（Multi-Bridge-Channel FET，MBCFET）架構設計，以奈米線設計的環繞式閘極電晶體（Gate-All-Around FET，GAA FET）架構為基礎，改以奈米片設計，增加與閘極的接觸面積。

預期 3nm 製程能突破以往鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）性能限制，透過將低電壓來提高功率，同時藉由驅動電流來提高性能，打造出高性能、低功耗產品。

▲三星 3nm 製程採用 MBCFET 架構設計，將 GAA FET 架構的奈米線調整成奈米片設計，增加與閘極的接觸面積。

全新的 3nm 製程，同時也是三星先進代工生態系統（SAMSUNG Advanced Foundry Ecosystem，簡稱 SAFE）合作夥伴的共同成果，前述生態系從 2021 年第三季開始啟動，成員包括三星電子、Ansys、益華電腦（Cadence）、西門子、新思科技等廠商，透過經過驗證的設計基礎設施，與合作夥伴的廣泛準備，幫助客戶在更短的時間內完善其產品。三星方面亦努力提供更穩定的設計環境，幫助減少設計、驗證和簽核過程所需的時間，同時提高產品可靠性。

▲三星在位於韓國華城的廠區內啟動 3nm 製程產品量產事宜。