高通Snapdragon 820發表 採用14奈米FinFET LPP製程

高通於美國時間 11 月 10 日在紐約正式發表 Qualcomm Snapdragon 820 高階 SoC，而這款全新的旗艦級產品也確定將由三星代工，並且採用 14 奈米 FinFET LPP 製程技術，整體功耗相較上一代 Snapdragon 810 下降約 30%，其 終端裝置預計 2016 年第一季才會問世；目前確定採用 Snapdragon 820 的裝置也已經超過 60 款，預期將有不少品牌業者採用，未來也會持續增加，而這款高階 SoC 勢必也將在明年手機市場扮演相當重要的角色。

Qualcomm Snapdragon 820 除了採用 14nm FinFET LPP 製程技術，也將導入全新  64bit Kryo 自主架構，使用四核心設計，兩個核心可跑到 2.2GHz 時脈，另外兩個核心頻率只有 1.6~1.7GHz，同時搭載  Adreno 530 GPU、14bit Spectra ISP、 Hexagon 680 DSP，以及  X12 LTE 數據機，並且支援 Cat.12 / 13、MU-MIMO、Wi-Fi 802.11ad 與 Quick Charge 3.0 快速充電技術。此外，Snapdragon 820 還將透過加入  Zeroth 認知平台藉由異質運算完成各種感知計算，並且利用  Smart Protect 技術，進一步保護個人隱私和終端安全。


▲高通總裁 Derek Aberle 證實，Qualcomm Snapdragon 820 將採用三星 14 奈米 FinFET LPP 製程技術。


▲高通預期在 2015 財務年度中，MSM 晶片出貨量將可以達到 9.32 億顆。