三星開始量產512GB容量的eUFS 3.1行動儲存晶片

2020/04/06
by 克勞德 編輯
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三星今日(4/6)宣布旗下 512GB eUFS 3.1 行動儲存晶片正式進入量產階段,除了維持與前代 eUFS 3.0 相同的 2100MB/s 循序讀取速度外,循序寫入速度最高可達 1200MB/s,突破當前智慧型手機儲存晶片 1GB/s 的性能極限,同時能以更快的速度儲存 8K 影片和大尺寸影像檔案。另外,三星也將針對旗艦級手機再推出 128GB 與 256GB 容量版本的 eUFS 3.1 行動儲存晶片。

三星開始量產512GB容量的eUFS 3.1行動儲存晶片



三星 512GB eUFS 3.1 行動儲存晶片具備 1200MB/s 的循序寫入速度,不僅比一般 SATA 桌上型電腦(540MB/s)快兩倍以上,更較 UHS-I microSD 記憶卡(90MB/s)快上十倍,90 秒內即可移動 100GB 的數據資料。而在隨機讀取方面,512GB eUFS 3.1 行動儲存晶片速度可達 100,000 IOPS(較 UFS 3.0 提升 60%),隨機寫入速度則可達到 70,000 IOPS。

三星開始量產512GB容量的eUFS 3.1行動儲存晶片
▲三星全新推出的 SAMSUNG Galaxy S20 系列手機僅採用 UFS 3.0 儲存晶片。

三星電子記憶體業務暨行銷執行副總裁 Cheol Choi 表示,三星本次推出 eUFS 3.1 行動記憶體儲存晶片,將可為智慧型手機用戶擺脫傳統記憶卡的容量瓶頸。此外,為滿足旗艦、高階智慧型手機市場的記憶體需求,三星自 3 月起已投入第 5 代 V-NAND 的量產計畫,並規劃將韓國平澤生產線的第 5 代 V-NAND 量產遷移至第 6 代,替日益成長的市場需求帶來更佳的解決方案。

三星開始量產512GB容量的eUFS 3.1行動儲存晶片
▲vivo 旗下子品牌 iQOO 3 手機是業界首發 UFS 3.1 的機種。
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