發文數：550
發表時間：2003-01-24 07:30:00
發表時間：2003-01-24 07:30:00
時間：2003年01月22日
東芝推出全球首款128Mb虛擬SRAM，其整合了DRAM單元，具有SRAM介面，密度更高，速度更快，功耗更低，適合高階手機和電話數位助理等產品使用。東芝表示，128Mb虛擬SRAM將於2003年一月底開始提供樣品，三月將開始投產，月產量可達200,000片。
這兩款元件均採用0.175微米CMOS製程技術，待機電流為250毫安，存取時間為70或75ns。其中，名為TC51WHM716AXBN70的128Mb PSRAM採用單電源，核心及輸入/輸出(I/O)的工作電壓，而另一款名為TC51WKM716AXBN75的128Mb元件則支援1.8V I/O。
這些記憶體採用69球精細間距球柵陣列封裝FBGA，可進一步降低電路板面積。此外，東芝還提供可節省空間的堆疊多晶片封裝(MCP)，可將PSRAM與其它記憶體整合在一起，如靜態隨機存取記憶體SRAM、NOR快閃記憶體和NAND快閃記憶體。
東芝推出全球首款128Mb虛擬SRAM，其整合了DRAM單元，具有SRAM介面，密度更高，速度更快，功耗更低，適合高階手機和電話數位助理等產品使用。東芝表示，128Mb虛擬SRAM將於2003年一月底開始提供樣品，三月將開始投產，月產量可達200,000片。
這兩款元件均採用0.175微米CMOS製程技術，待機電流為250毫安，存取時間為70或75ns。其中，名為TC51WHM716AXBN70的128Mb PSRAM採用單電源，核心及輸入/輸出(I/O)的工作電壓，而另一款名為TC51WKM716AXBN75的128Mb元件則支援1.8V I/O。
這些記憶體採用69球精細間距球柵陣列封裝FBGA，可進一步降低電路板面積。此外，東芝還提供可節省空間的堆疊多晶片封裝(MCP)，可將PSRAM與其它記憶體整合在一起，如靜態隨機存取記憶體SRAM、NOR快閃記憶體和NAND快閃記憶體。
大竹 於 2016-05-28 16:49:55 修改文章內容
商業贊助
發文數：1發表時間:2025-09-10 23:15:50
發文數：6998
發表時間：2003-01-24 07:57:00
發表時間：2003-01-24 07:57:00
好深奧ㄡ~~~~~~~~~~~~~o.0
Mr.181 於 2003-01-24 07:57:00 修改文章內容
發文數：1918
發表時間：2003-01-24 10:56:00
發表時間：2003-01-24 10:56:00
他們都沒有把奈奈米放在eye裡!!
★☆okumuro★☆ 於 2003-01-24 10:56:00 修改文章內容