3C 科技分享Spansion與中芯國際合作 新添43nm MirrorBit ORNAND2技術

Spansion與中芯國際的合作協議新添43nm製程MirrorBit ORNAND2技術

中芯國際將生產用於高附加價值無線和嵌入式快閃記憶體
應用領域的差異化MirrorBit ORNAND2解決方案

【台北訊，2008年8月22日】 全球最大的純快閃記憶體解決方案供應商Spansion （NASDAQ:SPSN）今日宣布擴大與中芯國際 （SMIC，NYSE︰SMI；SEHK︰0981.HK） 目前的合作協議，在生產65nmMirrorBit NOR產品的基礎上，增加以300mm晶圓為基礎的43nm Spansion&reg； MirrorBit&reg； ORNAND2快閃記憶體。藉由中芯國際世界级；的專業製造技術，Spansion將為其嵌入式和無線快閃記憶體客戶提供更具成本優勢的差異化產品線。此項合作的具體條款尚未透露。

Spansion執行長暨總裁Bertrand Cambou表示︰「Spansion與中芯國際關於生產業界領先的MirrorBit產品的補充協議，是我們的一項重要策略行動，旨在提升Spansion為客戶提供更加豐富的解決方案的能力。同時，與中芯國際關係的日漸深化有助於擴大我們在中國大陸的影響，而中國大陸是全球增長速度最快的快閃記憶體市場之一。」

MirrorBit ORNAND2快閃記憶體是Spansion旗下MirrorBit ORNAND系列的下一代產品，以更加多元化的高附加價值解決方案擴展了公司現有的產品線。憑藉公司專有的MirrorBit電荷捕獲技術，以及按NAND陣列架構連接的儲存單元，Spansion MirrorBit ORNAND2旨在為更高速的寫入性能和更廣泛的容量提供完美支援。

Spansion專有的MirrorBit技術是公司各種領先產品的技術基礎，這些產品包括MirrorBit ORNAND2、MirrorBit NOR、MirrorBit Eclipse以及Spansion EcoRAM。隨著Spansion MirrorBit技術的成功轉讓，中芯國際將大幅提升65nm MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM兩種產品的產量。經過十多年的廣泛研究、積極開發和商業成功之後，Spansion MirrorBit技術的效率在全新的MirrorBit ORNAND2技術上得以充分利用，其所需的遮罩層（masking layers）與MirrorBit NOR技術相比可減少25 ％，同時能提供較浮動閘門NAND解決方案更為出眾的品質。由於浮動閘門NAND快閃記憶體技術面臨日益嚴峻的升級挑戰，Spansion憑藉在電荷捕獲技術領域的豐富經驗而擁有獨一無二的優勢，能夠以領先的技術節點提供極具競爭力的解決方案。

中芯國際總裁暨執行長張汝京博士表示︰「透過以領先的節點技術生產Spansion MirrorBit技術產品，中芯國際能夠優化我們晶圓廠的使用率。藉由與Spansion的密切合作，中芯國際將進一步鞏固公司在快閃記憶體生產領域的領先地位，進而提升公司在高附加價值市場的市佔率。」

Spansion 43nm MirrorBit ORNAND2技術的開發已經在其位於美國加州桑尼維爾市的亞微米開發中心（SDC）順利完成，Spansion計畫將其轉移至中芯國際設在中國武漢的300mm晶圓廠。在此同時，Spansion計畫在2009年大幅提升其SP1旗艦級300mm晶圓廠的45nm Spansion EcoRAM、MirrorBit NOR和Eclipse解決方案的產量。Spansion預計將在SDC中完成用於MirrorBit ORNAND2、MirrorBit Eclipse和Spansion EcoRAM的32nm MirrorBit技術的開發工作，並於2010年投入量產。

深化與中芯國際的合作關係是Spansion拓展策略聯盟的策略中的一項關鍵要素。Spansion計畫將其資本投資集中在加速開發領先的MirrorBit快閃記憶體技術、開發高附加價值、高利潤的解決方案，以及擴大其位於日本會津若松、產業領先水準的300mm SP1快閃記憶體製造廠。

水杉而 於 2016-05-28 16:02:29 修改文章內容