SanDisk領先發表體積最小32奈米快閃記憶體技術

SanDisk領先業界發表 體積最小32奈米快閃記憶體技術

X3以及32奈米技術打破規格和密度的籓籬

以低製造成本享有卓越效能

• 突破現有技術，提供microSD卡擁有更大容量
• 以SanDisk先進All Bit-Line (ABL)架構及32奈米製程，提供43奈米製程的良好效能水平

SanDisk共同創辦人兼總裁Sanjay Mehrotra表示 ：「SanDisk在推出56奈米3-bits-per-cell的第一代產品後一年半，即開發出第三代32奈米3-bits-per-cell技術，展現身為業界領導者具備的快速研發能力。同時，憑藉此創新技術，讓SanDisk更能以經濟的成本，提供更多兼具高容量及時尚外觀的產品，不僅助於拓展各產品線，更突顯SanDisk提供給消費者卓越技術與創新的堅持。」

32奈米32Gb X3技術是目前業界體積最小的快閃記憶體晶片，適用於手機和其他消費性電子產品中，僅有指甲大小的microSD?記憶卡。業界密度最高的32奈米 32Gb microSD記憶卡，以與43奈米相同的模組，提供比其高出兩倍的容量。32奈米製程以及其電路設計的領先技術為成就113mm2 晶片規格的關鍵要素，並以SanDisk All-Bit-Line （ABL）專利架構提升X3的讀寫效能。

SanDisk OEM業務部暨企業工程執行副總裁Yoram Cedar表示 ：「32奈米 X3晶片的小巧體積和令人難以置信的密度，促使高容量microSD的誕生。隨者日益增長的行動電話儲存需求，microSD的尺寸大小也成為消費者選購的要點，而X3技術將是使我們為市場注入新產品的重要因素。」

關於SanDisk核心技術

32奈米是業界迄今最先進的快閃記憶體製程技術，它需要先進的解決方案來管理在規格上的變化。結合數種創新技術的32奈米製程晶片，與摩爾定律中的其他趨勢線相較之下，其模組區域大幅減小。

SanDisk儲存技術部副總裁Klaus Schuegraf表示 ：「SanDisk成功的以43奈米浸沒式光刻技術部署間隙壁工藝，不需增加昂貴的光刻設備下，完成32奈米製程技術，SanDisk將其領先業界的64-bit NAND串長帶到32奈米，並採用創新的程式演算法和系?設計彌補位與位之間的甘擾影響（bit to bit）。」

SanDisk和東芝在2009國際固態電子電路會議 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC) 中攜手發表32奈米 32Gb X3 NAND快閃記憶體；強調可發展出32奈米的創新技術。32奈米32Gb X3預計在2009年下半年開始投產。

水杉而 於 2015-05-25 08:43:47 修改文章內容