SanDisk推出4-BITS-PER-CELL（X4） 快閃記憶體技術

SanDisk推出全球首項高效能
4-BITS-PER-CELL (X4) 快閃記憶體技術

• 領先業界支援64Gb單顆粒記憶體晶片的最高容量快閃記憶體，效能媲美最新的MLC科技
• 64Gb X4技術建構於SanDisk先進的43奈米 (nm) 製程，預計於2009年上半年投入生產

2009 年 2月 12 日，台北 –全球快閃記憶體供應商領導品牌SanDisk （NASDAQ:SNDK）宣布將大量生產以多層電路元 (Multi-Level Cell，簡稱MLC) 技術為基礎，全球首項、領先業界的高效能4-bits-per-cell (X4) 快閃記憶體。SanDisk秉持提供業界最高的記憶體容量、滿足日新月異的記憶體應用程式，突破現有技術，採用43奈米製程來支援64Gb單顆粒記憶體晶片。此外，SanDisk亦已生產新一代的X4控制器，作為有效管理X4 記憶體效能表現及其複雜性及的必要工具。SanDisk結合X4 記憶體晶片及X4控制器晶片於多重晶片封裝(Memory Multi-Chip Package，簡稱MCP)內，以提供全面、 整合並符合經濟效益的記憶體方案。

SanDisk記憶體科技及產品發展高級副總裁Khandker Quader表示：「X4 記憶體及控制器技術視為快閃記憶體發展的重要里程碑，除了將為SanDisk 帶來長遠重大的效益外，更視為未來在NAND 快閃記憶體技術發展上的重要角色。64Gb X4乃是匯聚多項重大發明的成果，此項技術顯示SanDisk 在發展高效能、低成本multi-bit 快閃記憶體的領先技術外，亦突顯SanDisk在需佔用大量記憶體音樂、電影、相片、GPS及電腦遊戲等相關應用程式上的領導優勢。」

X4 快閃記憶體突破發展

SanDisk與東芝長期合作研發、生產先進的快閃記憶體，此次亦合作發展採用43 奈米製程的64Gb X4快閃記憶體技術。以三大主要元素--SanDisk專利的All –Bit-Line (ABL) 架構、最新發展的三步程式 (three-step programming，TSP) 、及順序概念 (sequential sense concept ，SSC) 構成X4不凡的卓越表現；其寫入速度比現今多層式晶片技術提升至每秒7.8MB，是目前業界最高容量與密度的快閃記憶體單顆粒，並預計將於今年投產。

X4 控制器科技乃是關鍵

SanDisk發展多項先進系統管理的創新應用程式，以解決4-bits-per-cell繁雜技術所帶來的問題。由SanDisk研發及擁有的X4控制器，利用首創專為儲存系統而設的錯誤校正碼 (error correcting code，簡稱ECC) ，支援4-bits-per-cell所需的16層分配模式。

SanDisk 未來科技及創新部副總裁Menahem Lasser表示：「兼具生產、效能及符合經濟成本的4-bits-per-cell技術，最根本的挑戰在於多層式儲存上需要創新先進的系統支援，幸而我們的X4控制器技術配合記憶體管理及單一處理系統，能完全符合4-bits-per-cell記憶體的獨特需求，此亦顯示出SanDisk在處理繁雜記憶體應用程式概念化與投入生產上的卓越能力。」

距離SanDisk在2008國際固態電路會議上推出X3 (3-bits-per-cell NAND) 技術只有一年的時間，SanDisk於2009國際固態電子電路會議 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC)上，與東芝遞交一份關於採用43奈米製程開發64Gb 4-bits-per-cell NAND快閃記憶體的突破性技術論文，並榮獲該會議2009路易斯優秀論文獎（Lewis Winner Outstanding Paper Award）的殊榮。

SanDisk公司官方網址：http://www.sandisk.com

水杉而 於 2015-05-25 08:43:47 修改文章內容