日系手機討論ST針對新一代行動電話推出多記憶庫快閃記憶體

時間：2002年11月27日

ST日前推出兩款供給電壓為1.8V，具備同步資料組讀取模式的64位元M58WR064ET與M58WR064EB多記憶庫快閃記憶體產品。這種結合多記憶庫架構的元件能增進複雜3G行動電話的效能，適用於新一代高效能行動電話。
M58WR064ET與M58WR064EB具有高密度、低功耗、更大寫入能力與更小型封裝等特點，它們都具有非對稱區塊架構，每個元件均分割為總數135個區塊的4Mbit記憶庫。總共有15個記憶庫，每個均包含8個主要的32Kwords的區塊，一個參數記憶庫則內含8個4Kwords的參數區塊，以及7個主要的32Kwords的區塊。

這種記憶庫架構有兩種操作模式：當其中一個記憶庫進行寫入或擦除時，其他記憶庫也能同時執行寫入功能。另外，兩款元件也支援同步資料組讀取與非同步讀取模式，這種功能可針對記憶體陣列中的所有區塊進行讀取。

在通電模式下，該元件被設置為非同步讀取模式。而在同步資料組模式中，數據會隨著每個時脈周期輸出，頻率則可提升到54MHz。此外，它們還可以進行跨記憶庫的資料組讀取。

兩款元件都能進行區塊擦除，並在系統內進行字元對字元的寫入。其擦除動作能在其他區塊進行寫入時被終止，之後再恢復。而當自其他區塊讀取資料時，寫入動入也能被終止，然後再恢復。每個區塊的寫入與讀寫次數都超過100,000次，並採用VDD供給電壓。

M58WR064ET與M58WR064EB均具有自動待機模式。在非同步讀取操作模式中，它們能自動地在匯流排靜止150ns後，切換至待機模式。因此能降低功耗，並持續驅動輸出。

大竹 於 2016-05-28 16:49:50 修改文章內容