3C 科技分享Qcept Technologies 與CEA-Leti 合作發展非光學可視性缺陷檢測

Qcept Technologies 與CEA－Leti 合作
共同發展非光學可視性缺陷檢測技術與先進半導體製程

Qcept 與CEA－Leti 攜手合作將領先業界的優勢擴展至非光學可視性缺陷檢測，
解決高介電、低介電常數材料，完全矽化金屬閘極，及其他影響先進製程良率的重要問題

【台灣，台北，2008年6月16日】半導體製造業新型晶圓檢測系統開發商Qcept（Qcept Technologies Inc.），日前宣布和全球先進微米與奈米科技的頂尖研究機構CEA－Leti達成一項合作協議。Qcept將與CEA－Leti合作，讓Qcept的領導優勢延伸至現有各種非光學可視性缺陷（NVD）檢測應用，以及研究各種潛在新技術，藉以分析各種先進半導體材料與製程的特性。這些材料與製程包括高介電常數與低介電常數材料、原子層沉積（ALD）、完全矽化（FUSI）金屬閘極，以及先進的清洗技術。

在協議的規範下，CEA－Leti提供在先進半導體製程開發方面豐富的專業知識，Qcept則已將其ChemetriQR 非光學可視性缺陷晶圓檢測技術，裝設於CEA－Leti位於法國格勒諾伯的研發中心，強化其現有製程特性分析的能力。

CEA－Leti首席研發工程師Adrien Danel表示：「各種先進材料與製程，包括高介電常數材料與金屬閘極，都有潛能大幅提升未來世代半導體元件的效能，但其衍生的複雜性可能造成許多過去未遭遇的特殊良率問題，需要創新的檢測方法才能解決。與Qcept之間的合作，能幫我們更加瞭解這些材料與製程的各種良率問題，藉以加快開發流程，並整合至整個製程。」

Qcept公司行銷副總裁Ralph Spicer表示：「CEA－Leti在許多半導體研發的關鍵領域中扮演先鋒角色。與CEA－Leti合作，讓我們有特別的機會，及早接觸到這些先進技術，讓我們針對業界某些尖端應用來證明我們的ChemetriQ解決方案。」

Qcept的ChemetriQ 平台提供整片晶圓的快速線上NVDs偵測，包括有機與無機殘餘物、金屬污染、製程導致的電荷、水漬，以及其他無法以光學檢測系統檢測的非光學可視性缺陷。ChemetriQ平台透過一種創新且非破壞性的技術，檢測半導體晶圓表面功函數的變化量 （work function variation）。ChemetriQ平台的敏銳度高達5E9 atoms/cm2 （每平方公分上5E9 atoms或二十萬個原子分之一），超越國際半導體技術準則（ITRS）針對22奈米技術所規範的金屬感染物標準。

水杉而 於 2016-05-28 16:02:26 修改文章內容