日系手機討論ISSI非同步SRAM採用1.6V至3.6V電壓

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發表時間:2002-08-02 00:37:00
時間:2002年08月01日

Integrated Silicon Solution(ISSI)公司推出PowerSaver系列非同步SRAM的工作電壓在1.6V至3.6V之間,適用於下一代行動電話及無線手持設備和其它可攜產品。

這種容量為8Mb的器件採用0.15μm製程,工作電流在10μA至15mA之間,有512K×8和1M×8兩種配置。其存取速度有45ns、55ns和70ns等幾種,還為上位位元組及下位位元組提供數據控制。

IS62WV51216ALL、IS62WV51216BLL、IS62WV10008ALL及IS62WV10008BLL,有44接腳TSOP-II、48接腳微型BGA及36接腳微型BGA等數種封裝形式提供。

大竹 於 2016-05-28 16:49:39 修改文章內容


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