3C 科技分享IR 25V DirectFET晶片組 特別為高頻和高效率DC-DC應用作優化

IR推出25V DirectFET晶片組
特別為高頻和高效率DC-DC應用作優化

全球功率半導體和管理方案領導廠商 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點 （POL） 轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。

新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻 （RDS（on）） 非常低，也同時具備極低的閘電荷 （Qg） 和閘漏極電荷 （Qgd） ，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷，而且，當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 （Schottky） 整流器的同步MOSFET作協同設計時，能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案，讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」

IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 （Qgd） ，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。

IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS（on），故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。

產品基本規格如下：

元件編號	BVDSS （V）	在10V下典型 RDS（on） （mOhms）	在4.5V下典型 RDS（on） （mOhms）	VGS （V）	典型 QG （nC）	典型 QGD （nC）	外型代碼
IRF6710S2	25	4.5	9.0	＋/-20	8.8	3.0	S1
IRF6795M	25	1.1	1.8	＋/-20	45	15	MX
IRF6797M	25	1.4	2.4	＋/-20	35	10	MX

產品詳細資料可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr080710.html

新元件符合電子產品有害物質管制規定 （RoHS），並已接受批量訂單。

水杉而 於 2016-05-28 16:02:27 修改文章內容