3C 科技分享IR 推出革命性GaN功率元件技術平台

IR 推出革命性GaN功率元件技術平台

專有矽上GaN磊晶和功率元件技術引領功率轉換新時代

全球功率半導體和管理方案領導廠商 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布成功開發革命性氮化鎵 （GaN） 功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值 （FOM） ，使其較先進矽技術平台提升最多十分之一 ，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用能夠顯著提升效能，並減少能源消耗。

這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是IR經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。

IR的GaN功率元件技術平台為功率轉換解決方案帶來革命性的改進。這項研究因有效引進IR 60年來在不同應用，包括AC-DC功率轉換、DC-DC功率轉換、馬達驅動、照明、高密度音效與汽車系統等功率轉換方面的專業知識，使系統方案產品陣營和相關的智慧財產 （IP） 遠超出先進的分立功率元件。

這款高吞吐量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序，能全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合，為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。

IR總裁及CEO Oleg Khaykin表示：「這種尖端的GaN技術平台和IP陣營，延續了IR於功率半導體元件的領導地位，並且引領功率轉換進入新時代。這種發展正好與我們致力協助客戶節省能源的核心使命一脈相承。我們相信這款新元件技術平台將會深深影響功率轉換市場，就如30多年前IR推出功率HEXFET時一樣。」

IR總裁及CEO Oleg Khaykin

IR將會於2008年11月11至14日在德國慕尼黑舉行的Electronica展覽會上，向業界領先的OEM客戶展示數款嶄新GaN產品平台的原型。

Khaykin續說：「我們相信這些平台的先驅採用者，將是那些能夠全面從革命性價值體現能力得益的市場領域和應用範疇，使它們由此獲得重要功率密度、功率轉換效率和成本功能的充分效益。」

水杉而 於 2016-05-28 16:02:30 修改文章內容