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發表時間：2002-11-20 05:00:00
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時間：2002年11月19日
美商超微半導體(AMD)宣佈推出採用MirrorBit技術的256Mb快閃記憶體，適用於行動電話及PDA等電子產品。此新推出的高密度 NOR 快閃記憶體晶片已開始送樣，此外AMD的一系列多款 MirrorBit 快閃記憶體，包括16 Mb至256 Mb等不同規格，則預計從明年第一季開始正式量產。
AMD記憶體事業群客戶業務副總裁 Ian Williams表示，AMD MirrorBit 技術是一項技術上的重大突破，可讓快閃記憶體晶片儲存比標準快閃記憶體多一倍的資料，但卻仍保有其效能及可靠性。
Ian Williams解釋說，在 MirrorBit 的儲存格內，代碼或資料會分別儲存在快閃記憶體儲存格內的兩個各自獨立的電荷區。採用 AMD MirrorBit 技術的快閃記憶體晶片，可將每一位元的資料完全分開，確保各位元資料的完整性，比其他採用多層式儲存格 (MLC) 的競爭產品更穩定及可靠。
MLC 晶片將某一電荷的部分電位儲存在一個電荷區內，因此運行時較不穩定，設定、讀取及拭除資料也比較慢。此外，由於採用AMD MirrorBit 技術的快閃記憶體可與現有的 AMD 快閃記憶體完全接腳相容。因此客戶可以輕易轉用 AMD MirrorBit 技術，充分享受高密度儲存系統的優點。
AMD MirrorBit 快閃記憶體的主要規格為：採用 3.0 伏特的單電源供應器、非同步存取時間最快需70 奈秒、分頁模式存取時間最快需25 奈秒、在攝氏 125度的溫度下可保存資料最少 20 年，以及每一區段可支援最少 100,000 個寫入/拭除周期等。
Ian Williams指出，目前64Mb 的 MirrorBit 快閃記憶體已開始量產，256Mb、128Mb、32Mb 及 16Mb 的型號則有樣品供應，並且預計 2003 年第一季量產供貨。現有產品均採0.23微米之製程技術，明年起將跳過0.18微米製程，直接開始轉換至0.13微米製程生產，並將推出512 Mb的產品。
美商超微半導體(AMD)宣佈推出採用MirrorBit技術的256Mb快閃記憶體，適用於行動電話及PDA等電子產品。此新推出的高密度 NOR 快閃記憶體晶片已開始送樣，此外AMD的一系列多款 MirrorBit 快閃記憶體，包括16 Mb至256 Mb等不同規格，則預計從明年第一季開始正式量產。
AMD記憶體事業群客戶業務副總裁 Ian Williams表示，AMD MirrorBit 技術是一項技術上的重大突破，可讓快閃記憶體晶片儲存比標準快閃記憶體多一倍的資料，但卻仍保有其效能及可靠性。
Ian Williams解釋說，在 MirrorBit 的儲存格內，代碼或資料會分別儲存在快閃記憶體儲存格內的兩個各自獨立的電荷區。採用 AMD MirrorBit 技術的快閃記憶體晶片，可將每一位元的資料完全分開，確保各位元資料的完整性，比其他採用多層式儲存格 (MLC) 的競爭產品更穩定及可靠。
MLC 晶片將某一電荷的部分電位儲存在一個電荷區內，因此運行時較不穩定，設定、讀取及拭除資料也比較慢。此外，由於採用AMD MirrorBit 技術的快閃記憶體可與現有的 AMD 快閃記憶體完全接腳相容。因此客戶可以輕易轉用 AMD MirrorBit 技術，充分享受高密度儲存系統的優點。
AMD MirrorBit 快閃記憶體的主要規格為：採用 3.0 伏特的單電源供應器、非同步存取時間最快需70 奈秒、分頁模式存取時間最快需25 奈秒、在攝氏 125度的溫度下可保存資料最少 20 年，以及每一區段可支援最少 100,000 個寫入/拭除周期等。
Ian Williams指出，目前64Mb 的 MirrorBit 快閃記憶體已開始量產，256Mb、128Mb、32Mb 及 16Mb 的型號則有樣品供應，並且預計 2003 年第一季量產供貨。現有產品均採0.23微米之製程技術，明年起將跳過0.18微米製程，直接開始轉換至0.13微米製程生產，並將推出512 Mb的產品。
大竹 於 2016-05-28 16:49:49 修改文章內容
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發文數：1發表時間:2025-12-30 00:03:02