3C 科技分享恩智浦針對L波段雷達應用推出 最高速RF輸出功率元件

恩智浦半導體 （NXP Semiconductors）
針對L波段雷達應用推出最高速的RF輸出功率元件

以第六代LDMOS技術為基礎的新元件的耐用度達到超過50 ％的空前優異功效

【臺北訊，2008年11月21日】 – 恩智浦半導體（NXP Semiconductors，由飛利浦創建的獨立半導體公司）擴張其業界領先的RF Power 電晶體產品線，近日推出最新的針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS）電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率。

針對大範圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準（漏極效率大於50 ％）、增益（17dB）和達500W的耐用度。

恩智浦半導體RF功率產品線全球產品市場經理Mark Murphy表示：「身為第一家推出L波段和S波段應用的LDMOS的公司，恩智浦高效能的LDMOS RF功率電晶體產品線建立了一個嶄新的業界標準，為我們的客戶提供市場上表現最優異和最耐用的電晶體。將RF輸出功率提高至500W的技術突破，是恩智浦內部傾力合作、貼近客戶需求的結果，使我們推出易於導入設計並縮短上市時間的電晶體產品。」

恩智浦L波段RF電晶體（BLL6H1214-500）的主要表現參數包括：

• 500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈衝寬度，25 ％占空比時）
• 17dB增益
• 50 ％漏極效率
• 更佳的耐用度
• 能夠承受高達5dB的過驅動能力
• 更佳脈衝偏差值 （低於0.2dB）
• 供電電壓50V
• 無毒封裝、符合ROHS標準

恩智浦的此款元件結合了雙極管的功率密度和適用於L波段雷達設計的LDMOS技術優勢，其環保的陶瓷封裝，可與BeO封裝互相替代。

上市時間

恩智浦BLL6H1214-500 LDMOS L波段RF功率電晶體將很快上市。更多恩智浦BLL6H1214-500的資訊可參考：http://www.nxp.com/pip/BLL6H1214-500_PL_1.html

欲瞭解更多有關恩智浦領先業界的第六代LDMOS技術，請至：
http://www.nxp.com/experience_rfpower

水杉而 於 2016-05-28 16:02:31 修改文章內容