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發表時間：2002-10-01 07:22:00
發表時間：2002-10-01 07:22:00
時間：2002年09月26日
富士通公司日前針對行動電話存取網際網路推出兩款低功耗的快速循環隨機存取記憶體(FCRAM)，分別為32M、1.8V和64M、3V的儲存晶片。這兩款FCRAM在多晶片封裝中組合了快閃式記憶體，將在10月份開始提供樣品。
32M晶片的隨機存取時間為85ns，頁面存取時間為25ns。工作模式下的最大功耗為25毫安，待機模式下為100微安。64M晶片的隨機存取時間為60ns，頁面存取時間為40ns。工作模式下的最大功耗為30毫安，待機模式下為150微安。
富士通公司日前針對行動電話存取網際網路推出兩款低功耗的快速循環隨機存取記憶體(FCRAM)，分別為32M、1.8V和64M、3V的儲存晶片。這兩款FCRAM在多晶片封裝中組合了快閃式記憶體，將在10月份開始提供樣品。
32M晶片的隨機存取時間為85ns，頁面存取時間為25ns。工作模式下的最大功耗為25毫安，待機模式下為100微安。64M晶片的隨機存取時間為60ns，頁面存取時間為40ns。工作模式下的最大功耗為30毫安，待機模式下為150微安。
大竹 於 2016-05-28 16:49:44 修改文章內容
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發文數：1發表時間:2025-08-26 06:48:38