
發文數:550
發表時間:2002-11-20 04:59:00
發表時間:2002-11-20 04:59:00
時間:2002年11月19日
富士通(Fujitsu)的MB84VY6A4A1堆疊記憶體媒體儲存控制器(MCP)堆疊了三層快閃記憶體、一層SRAM和兩層FCRAM器件,尺寸15×11×1.4mm,針對新型手機應用,如數位照片、網際網路、音樂和視訊傳送。
該記憶體採用了富士的封裝堆疊MCP(PC-MCP)技術將兩種封裝結合在一起,內含6塊記憶體晶片。該封裝分成兩條獨立的數據總路線,允許數據和程式同時執行,減少執行時間。MCP的匯流排寬度為16位元,工作電壓為2.85±0.15V,工作溫度-25℃至85℃。可進行10萬次重複擦/寫。
該MCP分成一個四片上封裝和兩片下封裝。上封裝包括128Mb NOR頁面讀取模式的雙動作快閃記憶體、64Mb NOR雙動作快閃記憶體、64Mb行動FCRAM和32Mb行動FCRAM。下封裝包括32Mb NOR雙動作快閃記憶體和8Mb SRAM。
富士通(Fujitsu)的MB84VY6A4A1堆疊記憶體媒體儲存控制器(MCP)堆疊了三層快閃記憶體、一層SRAM和兩層FCRAM器件,尺寸15×11×1.4mm,針對新型手機應用,如數位照片、網際網路、音樂和視訊傳送。
該記憶體採用了富士的封裝堆疊MCP(PC-MCP)技術將兩種封裝結合在一起,內含6塊記憶體晶片。該封裝分成兩條獨立的數據總路線,允許數據和程式同時執行,減少執行時間。MCP的匯流排寬度為16位元,工作電壓為2.85±0.15V,工作溫度-25℃至85℃。可進行10萬次重複擦/寫。
該MCP分成一個四片上封裝和兩片下封裝。上封裝包括128Mb NOR頁面讀取模式的雙動作快閃記憶體、64Mb NOR雙動作快閃記憶體、64Mb行動FCRAM和32Mb行動FCRAM。下封裝包括32Mb NOR雙動作快閃記憶體和8Mb SRAM。
大竹 於 2016-05-28 16:49:49 修改文章內容

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發文數:1發表時間:2025-08-13 13:48:59