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發表時間:2003-04-25 17:14:00
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2003/1/16 點閱數: 257
Sharp開發新型高速記憶體、速度為Flash之百倍
Sharp投入新型高速記憶體之開發。該新型記憶體為不揮發性記憶體,將應用在電池容量有限的行動電話等可攜式產品上。由於估計可在2分鐘內下載2小時的高畫質影像資訊,對於行動電話之動畫應用相當理想,商品化時間以2006年為目標。相關資訊如下:
(1)新型記憶體乃利用電阻變化來儲存資訊,產生變化時電阻的變化值高達10-1000倍,變化速度快為其特徵。
(2)由於變化值大,相較於IBM或NEC、東芝合作開發的MRAM,容易判別,因而處理速度得以提升。此外其與MRAM以電磁力來讀寫資料的方式不同,因此不需要產生電磁力的電路,不僅體積可縮小,用電量亦可降到1/10。
(3)由於電阻變化快速,相較於行動電話使用的Flash,資料的寫入消除速度可加快百倍。使用於行動端末產品,對於動畫之類的大容量資料之存取時間將可大幅縮短。
(4)使用的材料為美國休士飾頓大學所發現的鏷(Pr)、錳 (Mn)、鈣(Ca)等物質的酸化物結構體,雖然鏷為稀有元素,但因用量少,新型記憶體的生產成本可與鮮有產品相當。
(拓墣產業研究所提供)
Sharp開發新型高速記憶體、速度為Flash之百倍
Sharp投入新型高速記憶體之開發。該新型記憶體為不揮發性記憶體,將應用在電池容量有限的行動電話等可攜式產品上。由於估計可在2分鐘內下載2小時的高畫質影像資訊,對於行動電話之動畫應用相當理想,商品化時間以2006年為目標。相關資訊如下:
(1)新型記憶體乃利用電阻變化來儲存資訊,產生變化時電阻的變化值高達10-1000倍,變化速度快為其特徵。
(2)由於變化值大,相較於IBM或NEC、東芝合作開發的MRAM,容易判別,因而處理速度得以提升。此外其與MRAM以電磁力來讀寫資料的方式不同,因此不需要產生電磁力的電路,不僅體積可縮小,用電量亦可降到1/10。
(3)由於電阻變化快速,相較於行動電話使用的Flash,資料的寫入消除速度可加快百倍。使用於行動端末產品,對於動畫之類的大容量資料之存取時間將可大幅縮短。
(4)使用的材料為美國休士飾頓大學所發現的鏷(Pr)、錳 (Mn)、鈣(Ca)等物質的酸化物結構體,雖然鏷為稀有元素,但因用量少,新型記憶體的生產成本可與鮮有產品相當。
(拓墣產業研究所提供)
豬頭立方 於 2016-05-28 16:50:04 修改文章內容
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