三星發表5奈米FinFET製程 EUV技術讓性能提升10%

採訪報導
Mem773859
日期:2019/04/17
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傳訊

三星電子昨日(4/16)宣布完成 5nm FinFET 製程技術開發,並且已經能為客戶提供樣品。三星表示的 5nm 製程延續 2018 年 10 月發表、7nm 工藝設計所使用的 EUV(紫外光)技術,且相對 7nm,5nm 製程技術能將邏輯區域效率提高 25%,整體功耗降低 20%,整體性能可提高 10%。三星並將 7nm 知識產權(IP)套用到 5nm 技術上,讓原有 7nm 產品客戶能以最低成本啟用 5nm 技術,同時縮短 5nm 產品開發。

三星發表5奈米FinFET製程 EUV技術讓性能提升10%
▲三星去年推出的 Exynos 9820 處理器來不及趕上新的 7nm 製程,下一代可能採用 7nm,至於配置更新的 5nm 技術產品可能要到 2020 年之後才推出。

目前三星主要在韓國華城的 S3 生產線上使用 EUV 技術,為了因應 7nm 與 5nm 製程產品產能增加,三星也宣布正在擴大生產線,相關廠區興建工程將在 2019 年下半年完成,生產線 2020 年正式啟用、增加產能;如果相關建設流程順利,推測首款採用三星 5nm 製程的裝置最快也要到 2020 年第二季之後才會亮相。另外,三星也著手準備 6nm 產品開發,目前已有需要 6nm 製程的客戶提出訂製合作,三星也提交相關初步設計圖檔給客戶,確認也會使用 EUV 技術。

三星發表5奈米FinFET製程 EUV技術讓性能提升10%
▲三星正擴大 EUV 技術生產線,以應付 7nm 與 5nm 製程工藝量產。

更新時間:2019/04/18-11:24

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站內留言
  • Default 20180110114950uid6747

    胡逸群

    來不急 7nm,所以 S10系列在跑分部分只好讓高通專美於前了。

    4/18/2019 at 1:43 AM

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