三星日前宣布已經準備生產第二代 10 奈米製程處理器,並積極地提高產品良率。目前的 Qualcomm Snapdragon 835 與 SAMSUNG Exynos 8895 兩款處理器皆採用 10 奈米 LPE(Low Power Early),三星第二代 10 奈米 LPP(Low Power Plus)擁有更好的低功耗技術,並具備 3D FinFET 增強功能,運算效能提升 10% 效益,省電效率也提高 15%,讓產品運作時速度更快更省電。
▲10 奈米 LPP 製程可望運用在未來的 SAMSUNG Exynos 處理器。
過去三星處理器製程由 LPE 提升至 LPP 的機款,分別為 SAMSUNG Galaxy S6(LPE)系列與 S7(LPP)系列。此外,三星營銷副總裁李妍表示,「憑藉三星 10 奈米 LPE 製程的成功經驗,我們已經開始生產 10 奈米 LPP 製程處理器,以保持我們在市場的領先地位。」三星為確保 10 奈米製程處理器能夠長期穩定供貨,已計畫在首爾西南方華城市擴廠增添新設備,預計第四季就可以開始量產。
▲SAMSUNG Galaxy S6 系列與 S7 系列皆採用 14 奈米製程 FinFET 處理器晶片,不過差別在於 S6 採用 LPE 製程,而 S7 為 LPP 製程。
▲10 奈米 LPP 製程可望運用在未來的 SAMSUNG Exynos 處理器。
過去三星處理器製程由 LPE 提升至 LPP 的機款,分別為 SAMSUNG Galaxy S6(LPE)系列與 S7(LPP)系列。此外,三星營銷副總裁李妍表示,「憑藉三星 10 奈米 LPE 製程的成功經驗,我們已經開始生產 10 奈米 LPP 製程處理器,以保持我們在市場的領先地位。」三星為確保 10 奈米製程處理器能夠長期穩定供貨,已計畫在首爾西南方華城市擴廠增添新設備,預計第四季就可以開始量產。
▲SAMSUNG Galaxy S6 系列與 S7 系列皆採用 14 奈米製程 FinFET 處理器晶片,不過差別在於 S6 採用 LPE 製程,而 S7 為 LPP 製程。
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