發表時間:2008-05-28 05:07:00
IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉換器設計
帶來更高效能和電流密度
全球功率半導體和管理方案領導廠商 - 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) ,推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像,以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術,較標準SO-8元件的佔位面積少40 %,更採用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (RDS(on)) 非常低,也同時把閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) 減至最少,並以極低的封裝電感來減少傳導與開關損耗。
IR台灣分公司總經理朱文義表示:「憑著我們作為業界標準的功率MOSFET矽元件和DirectFET封裝,新的30V元件擁有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd,為全部負載提高效率與溫度效能。這讓操作可達致每相位25A,同時又可以維持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。」
IIRF6724M、IRF6725M、IRF6726M,以及IRF6727M的特點是擁有極低的RDS(on),使它們十分適合高電流同步MOSFET。這些新元件與上一代元件採用通用的MT和MX佔位面積,所以當有應用須要提高電流水平或改善溫度效能時,能輕易由舊元件邁向使用新元件。
IIRF6721S、IRF6722S與IRF6722M的極低Qg和Qgd,則讓這些元件非常適用於控制MOSFET。它們並備有SQ、ST和MP佔位面積選擇,使設計可以更具靈活性。
產品基本規格如下:
元件 |
BVDSS |
在10V下典型RDS(on) (mOhms) |
在4.5V下典型RDS(on) (mOhms) |
典型 |
典型QGD |
DirectFET 外型代碼 |
IRF6721S |
30 |
5.1 |
8.5 |
11 |
3.7 |
SQ |
IRF6722S |
30 |
4.7 |
8.0 |
11 |
4.1 |
ST |
IRF6722M |
30 |
4.7 |
8.0 |
11 |
4.3 |
MP |
IRF6724M |
30 |
1.9 |
2.7 |
33 |
10 |
MX |
IRF6725M |
30 |
1.7 |
2.4 |
36 |
11 |
MX |
IRF6726M |
30 |
1.3 |
1.9 |
51 |
16 |
MT |
IRF6727M |
30 |
1.2 |
1.8 |
49 |
16 |
MX |
產品詳細資料可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr080522.html
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS),並已接受批量訂單。
水杉而 於 2016-05-28 16:02:26 修改文章內容
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